Market Insights Research

Edit Report

Year*:

Report Title*:

Publish Date *:

Topic*:

Industry*:

URL Keywords*:

Publisher*:

Delivery Format*:

Geography*:

Pages*:

Single User Price*:

Site License Price*:

Enterprisewide Price*:

Summary*:

<div class='report-summary'><table width='100%' border=1><tbody><tr><td><b>予測期間</b></td><td>2024-2028</td></tr><tr><td><b>市場規模 (2022)</b></td><td>76.8 億米ドル</td></tr><tr><td><b>CAGR (2023-2028)</b></td><td>5.93%</td></tr><tr><td><b>最も急成長しているセグメント</b></td><td>LED パッケージング</td></tr><tr><td><b>最大の市場</b></td><td>アジア太平洋地域</td></tr></tbody></table><hr><img src='https://www.marketinsightsresearch.com/uploads/IT-and-Telecom.jpg' alt='MIR IT and Telecom'><h2>市場概要</h2><p>世界の 3D TSV デバイス市場は、2022 年に 76 億 8,000 万米ドルと評価されており、2028 年までの予測期間中に 5.93% の CAGR で堅調な成長が見込まれています。電子デバイスの小型化に対する需要の高まりが、3D TSV 市場の成長を牽引しています。これらの製品は、より信頼性の高い高度なパッケージングを可能にするヘテロシステム統合によって実現できます。極めて小型の MEMS センサーと 3D パッケージ化された電子機器により、センサーを事実上どこにでも配置でき、過酷な環境でも機器をリアルタイムで監視して、信頼性と稼働時間を向上させることができます。</p><p>集積回路内の個別の小さなコンデンサに各データ ビットを保存するダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) の 3D TSV が、3D TSV 市場の成長を牽引しています。再設計された DRAM を搭載した Micron の 3D DRAM は、電力とタイミングの大幅な改善を実現し、高度な熱モデリングの開発に役立ちます。</p><h2>主要な市場推進要因</h2><h2>小型化と高性能要件</h2><p>小型化と高性能要件は、世界的な 3D TSV (シリコン貫通ビア) デバイス市場の成長を推進する基本的な推進要因です。このダイナミクスは技術進化の中心にあり、民生用電子機器からデータ センター、さらにそれ以降の業界を形作っています。民生用電子機器の分野では、よりスマートでコンパクトでありながら非常に強力なデバイスに対する飽くなき欲求があります。消費者は、見た目が美しいだけでなく、ますます高度なタスクを処理できるスマートフォン、タブレット、ウェアラブルを求めています。この需要により、メーカーは革新的なソリューションを模索するようになり、3D TSV テクノロジーがゲームチェンジャーとして登場しました。複数のチップを垂直に積み重ねる TSV により、メーカーはデバイスの物理的なフットプリントを大幅に削減しながら、同時にパフォーマンスを向上させることができます。この完璧な相乗効果は、消費者のスタイルと内容の両方に対する欲求に応えます。</p><p>この傾向は消費者向けガジェットを超えて、処理能力とメモリ容量に対する飽くなき欲求が広がるデータセンターにまで広がっています。企業が増え続けるデータ量と迅速な分析の必要性に取り組む中、3D TSV デバイスの重要性が明らかになっています。これらのデバイスは、メモリと処理コンポーネントを積み重ねる機能を提供し、メモリ密度と帯域幅を向上させます。スペースが貴重でエネルギー効率が極めて重要なデータセンターでは、3D TSV のコンパクトなフォーム ファクタと消費電力の削減が非常に貴重です。</p><p>さらに、高性能コンピューティング (HPC) と人工知能 (AI) アプリケーションは、3D TSV テクノロジへの依存度が高まっています。これらの分野では並外れた計算能力が求められ、3D TSV は GPU や FPGA などの専用チップの統合を容易にし、比類のない処理能力を実現します。結論として、小型化と高性能化の要件は単なる傾向ではなく、テクノロジー主導の世界における永続的な期待です。世界の 3D TSV デバイス市場は、こうした期待に応えるだけでなく、エレクトロニクス、データ処理、AI のイノベーションも推進しています。より小型で、より強力で、エネルギー効率の高いデバイスの需要が高まり続ける中、3D TSV テクノロジは進歩の重要な推進力として機能し、手のひらに収まるサイズでありながら、デバイスがよりスマートで高性能になり続けることを保証します。</p><h2>メモリ ソリューションの需要増加</h2><p>メモリ ソリューションの需要増加は、世界の 3D TSV (シリコン貫通ビア) デバイス市場の成長を牽引する強力な原動力です。この需要は、デジタル時代のデータの爆発的な増加、クラウド コンピューティングの成長、ますます高度化する消費者向け電子機器など、さまざまな要因によって促進されています。メモリ ソリューションの需要を牽引する最も重要な要因の 1 つは、現代社会のデータ中心の性質です。私たちは、オンライン ストリーミング、ソーシャル メディア、e コマース、IoT デバイスなどの活動によって、前例のない速度でデータを生成し、消費しています。このデータは効率的に保存および処理する必要があり、3D TSV テクノロジは魅力的なソリューションを提供します。TSV を使用してメモリ モジュールを垂直に積み重ねることで、メーカーはより小さな物理的フットプリント内でメモリ密度を大幅に高めることができます。これは、スペースが貴重であり、エネルギー効率が最優先事項であるデータ センターやサーバー ファームにとって特に重要です。</p><p>多くのオンライン サービスとアプリケーションの基盤となっているクラウド コンピューティングは、データとアプリケーションへの迅速なアクセスを提供するためにメモリ ソリューションに大きく依存しています。3D TSV デバイスを使用すると、クラウド プロバイダーはサーバー ラックにさらに多くのメモリ容量を詰め込むことで、データ センター インフラストラクチャを最適化できます。これにより、クラウド サービスのパフォーマンスが向上するだけでなく、必要な物理的スペースと電力が少なくなり、運用コストも削減されます。さらに、スマートフォン、タブレット、ゲーム コンソールなどの消費者向け電子機器は、ますますメモリを大量に消費するようになっています。消費者は、写真、ビデオ、アプリ、ゲームを保存するために十分なストレージ容量を備えたデバイスを期待しています。3D TSV テクノロジを使用すると、メーカーはスリムなフォーム ファクターを維持しながら、これらのデバイスにさらに多くのメモリを組み込むことができます。これは、スリムで高性能なデバイスが求められる競争の激しい消費者向け電子機器市場では特に重要です。</p><p>さらに、自動車業界では、車両の接続性と自律性が高まるにつれて、メモリ要件が急増しています。3D TSV デバイスは、先進運転支援システム (ADAS) や車内エンターテイメント システムの需要を満たすことができ、安全性とユーザー エクスペリエンスの両方を向上させます。結論として、メモリ ソリューションの需要の高まりは、さまざまな業界やアプリケーションに影響を与える多面的な要因です。3D TSV テクノロジーは、より高いメモリ密度、改善された帯域幅、およびスペース効率の高いソリューションを提供することで、これらの需要を満たす上で重要な役割を果たします。データとメモリを大量に消費するアプリケーションへの依存度が高まり続ける中、世界の 3D TSV デバイス市場は持続的な拡大に向けて好位置につけています。</p><hr><img src='https://www.marketinsightsresearch.com/uploads/Segment1.jpg' alt='MIR Segment1'><h2>高性能コンピューティング (HPC) と AI アプリケーション</h2><p>高性能コンピューティング (HPC) と人工知能 (AI) アプリケーションは、世界の 3D TSV (シリコン貫通ビア) デバイス市場の成長を推進する重要な原動力となるでしょう。これらの変革的なテクノロジーは、計算能力、メモリ帯域幅、エネルギー効率を飽くなき欲求を持っており、これらはすべて 3D TSV テクノロジーによって大幅に強化されます。複雑なシミュレーション、科学研究、データ分析に膨大な計算能力が求められる HPC の分野では、3D TSV デバイスは不可欠になりつつあります。これらのデバイスにより、高性能プロセッサやメモリモジュールなどの複数のチップを 1 つのパッケージ内に垂直に積み重ねることができます。この統合により、相互接続長の短縮など、いくつかの利点が得られ、データ転送の高速化とレイテンシの低減につながります。マイクロ秒単位の違いが大きな違いを生む HPC アプリケーションでは、この通信オーバーヘッドの削減は画期的なものです。さらに、3D TSV によって提供されるメモリ密度と帯域幅の増加は、データ アクセスの高速化に貢献し、膨大なデータセットの処理や複雑な計算の効率的な実行に不可欠です。</p><p>機械学習やディープラーニングなどの AI アプリケーションは、3D TSV テクノロジの採用を推進するもう 1 つの原動力です。AI モデルのトレーニングには、膨大な量のデータと複雑なマトリックス計算が伴います。これらの操作を高速化するために、GPU や TPU などの専用ハードウェアが従来の CPU と統合されています。3D TSV により、これらのコンポーネントを緊密に結合できるため、データ転送のボトルネックが軽減され、AI トレーニングの全体的な効率が向上します。さらに、3D TSV デバイスのコンパクトなフォーム ファクタは、スペースの制約が一般的であるエッジ コンピューティングや自律システムでの AI 展開の要求に適合しています。さらに、AI が医療から自律走行車までさまざまな業界で応用されるにつれて、3D TSV 搭載デバイスの需要は複数の分野で拡大する見込みです。</p><p>結論として、HPC および AI アプリケーションは技術進歩の最前線にあり、3D TSV テクノロジーはそれらの継続的な進化を可能にする役割を果たします。高性能チップとメモリをコンパクトなフォーム ファクターに積み重ねる機能は、計算能力を高めるだけでなく、これらの電力を大量に消費する領域で重要な考慮事項であるエネルギー効率にも貢献します。これらのテクノロジーが普及するにつれて、世界の 3D TSV デバイス市場は持続的な成長に向けて好位置につけており、幅広いアプリケーションにわたってイノベーションと効率性をサポートしています。</p><h2>主要な市場の課題</h2><h2>複雑な製造プロセス</h2><p>3D TSV (シリコン貫通ビア) デバイスに関連する複雑な製造プロセスは、世界の 3D TSV デバイス市場の広範な採用と成長に対する大きな障害となっています。これらの複雑なプロセスには、複数のステップと複雑なテクノロジーが伴うため、生産効率が低下し、コストが増加し、メーカーにとって課題となる可能性があります。技術的な複雑さ: 3D TSV デバイスの製造には、薄型ウェーハの取り扱い、ウェーハの接合、TSV エッチング、裏面の薄化、微細加工など、いくつかの高度なプロセスが含まれます。これらの各ステップには、特殊な装置、材料、専門知識が必要です。これらのプロセスは複雑なため、エラーや課題が発生しやすく、熟練した人員と細心の注意を払った品質管理が必要になります。</p><p>資本集約型装置: 3D TSV 製造施設を設置するには、特殊な機械と装置への多額の投資が必要です。資本支出は、中小企業や新興企業にとって大きな参入障壁となり、市場競争とイノベーションを制限する可能性があります。さらに、これらのマシンの継続的なメンテナンスとアップグレードは、運用コストに影響します。材料とサプライ チェーン: 3D TSV プロセスには、高度なシリコン ウェーハ、誘電体材料、接合材料などの特定の材料が必要です。これらの材料の信頼性の高いサプライ チェーンを確保することは非常に重要であり、混乱があると生産の遅れやコストの増加につながる可能性があります。</p><p>歩留まり管理: 半導体製造では、高い歩留まり (欠陥のないデバイスの割合) を達成することが最も重要です。3D TSV プロセスは複雑なため、一貫して高い歩留まり率を確保することは困難な場合があります。欠陥のあるデバイスは、生産コストの増加、リソースの無駄、製品納品の遅れにつながります。メーカーは、歩留まりの低下を最小限に抑えるために、厳格な品質管理および欠陥検出システムに投資する必要があります。プロセスの変動: 製造プロセスの変動により、製品品質が一定しなくなる可能性があります。これは、航空宇宙や自動車など、信頼性とパフォーマンスが不可欠な業界では特に重要です。プロセスの変動を管理および削減するには、継続的な監視と最適化が必要です。</p><p>市場投入までの時間: 3D TSV 製造プロセスの複雑さにより、開発サイクルが長くなり、市場投入までの時間が長くなる可能性があります。家電や通信などの急速に進化する業界では、製品の市場投入が遅れると、企業の競争力に悪影響を与える可能性があります。スケーリングの課題: 品質と一貫性を維持しながら、需要の増加に対応するために生産を拡大することは困難な場合があります。メーカーは、生産量の増加に応じてプロセスを最適化し、コストを管理する方法を見つける必要があります。</p><p>知的財産の保護: 半導体業界では知的財産を保護することが重要です。ただし、3D TSV プロセスの複雑さにより、独自の技術と設計を保護することが困難になる可能性があります。これらの課題を克服するために、業界では、製造プロセスの合理化、歩留まり率の向上、コストの削減を目的とした研究開発への投資を続けています。業界関係者間のコラボレーションと標準化されたプロセスの開発も、これらの障害を軽減するのに役立ちます。 3D TSV 製造の複雑さは依然として大きな課題ですが、パフォーマンスと小型化の面での潜在的なメリットが、この分野におけるイノベーションと投資を促進し続けています。</p><h2>コストと歩留まり管理</h2><p>コストと歩留まり管理は、世界の 3D TSV (シリコン貫通ビア) デバイス市場における大きな課題であり、メーカーの広範な採用と収益性に対する潜在的な障害となっています。これらの課題は複雑に絡み合っており、業界のさまざまな側面に影響を及ぼしています。高い製造コスト: 3D TSV 市場における主な課題の 1 つは、製造に関連する多大なコストです。このプロセスには、薄いウェーハの取り扱い、ウェーハの接着、TSV エッチング、裏面の薄化など、それぞれに特殊な機器と材料を必要とする複数の複雑なステップが含まれます。3D TSV 製造施設の設置に必要な初期資本支出は高額であるため、一部の企業は市場参入をためらっています。こうした高い製造コストは、3D TSV デバイスの価格上昇にもつながり、コストに敏感な市場での採用が制限される可能性があります。</p><p>歩留まり管理: 3D TSV 製造で高い歩留まり率を達成することは、費用対効果を高めるために重要です。歩留まりとは、製造工程における欠陥のないデバイスの割合を指します。製造プロセスの複雑さを考えると、一貫して高い歩留まりを確保することは困難な場合があります。欠陥のあるデバイスは、リソースの無駄、製造コストの増加、市場投入までの時間の遅延につながります。メーカーは、歩留まりの損失を最小限に抑えるために、厳格な品質管理対策と欠陥検出システムに投資する必要があります。歩留まりに関連する問題は、利益率を低下させ、市場競争力を妨げる可能性があります。規模の経済: コストと歩留まりに関連する課題は、生産規模を拡大すると増幅されます。3D TSV デバイスの需要が高まるにつれて、メーカーは大量生産しながら高い歩留まりを維持する方法を見つける必要があります。規模の経済性は、通常、単位当たりの生産コストの低減につながりますが、3D TSV 製造の複雑な性質上、実現が難しい場合があります。</p><p>技術の進歩: 半導体業界は、急速な技術の進歩が特徴です。技術が進化するにつれ、メーカーは歩留まり率の向上と生産コストの削減のために、研究開発に継続的に投資する必要があります。技術革新に遅れをとると、企業は競争上の不利な立場に陥る可能性があります。競争のプレッシャー: 競争の激しい市場では、企業は競争力のある価格で革新的な製品を提供するというプレッシャーに常にさらされています。コストを効果的に管理できないメーカーは、より低価格の代替品を提供する競合他社との競争に苦戦する可能性があります。</p><p>これらの課題に対処するために、業界では、3D TSV 製造プロセスの合理化、歩留まり率の向上、製造コストの削減を目的とした研究開発に積極的に取り組んでいます。業界関係者間の連携と標準化されたプロセスの開発も、これらの課題を軽減するのに役立ちます。さらに、市場が成熟し、より多くのメーカーが 3D TSV 分野に参入するにつれて、規模の経済と競争の激化によりコストが削減される可能性があります。こうした課題にもかかわらず、性能向上や小型化などの 3D TSV 技術の潜在的な利点は、この分野への投資とイノベーションを引き続き推進しています。</p><hr><img src='https://www.marketinsightsresearch.com/uploads/regional_MIR2.jpg' alt='MIR Regional'><h2>主要な市場動向</h2><h2>AI と HPC における役割の拡大</h2><p>AI (人工知能) および HPC (高性能コンピューティング) アプリケーションにおける 3D TSV (シリコン貫通ビア) デバイスの役割の拡大は、世界の 3D TSV デバイス市場を推進する極めて重要な原動力です。これらの技術には、並外れた計算能力、メモリ帯域幅、エネルギー効率が求められますが、これらはすべて、3D TSV 技術の独自の機能によって大幅に強化されます。AI ワークロードの高速化: 機械学習やディープラーニングなどの AI は、膨大な量のデータと複雑な数学的計算に依存しています。 3D TSV デバイスは、GPU (グラフィックス プロセッシング ユニット) や TPU (テンソル プロセッシング ユニット) などの専用コンポーネントを従来の CPU と統合することで、AI ワークロードの高速化に役立ちます。この統合により並列処理が容易になり、データ転送のボトルネックが軽減されるため、AI モデルのトレーニング時間と推論パフォーマンスが向上します。</p><p>メモリ帯域幅の拡張: AI および HPC アプリケーションでは、大容量で高帯域幅のメモリにアクセスする必要があります。3D TSV テクノロジにより、メモリ モジュールを垂直に積み重ねることができるため、メモリ密度と帯域幅が向上します。この機能は、HPC および AI 研究で大規模なデータセットを処理したり、複雑なシミュレーションを実行したりする際に特に重要です。エッジ AI のエネルギー効率: ネットワークのエッジにあるデバイスで AI 処理を行うエッジ AI では、電力制約のため、エネルギー効率の高いソリューションが求められます。3D TSV デバイスは、コンポーネント間の距離を短縮し、データ転送中のエネルギーの浪費を最小限に抑えることで、電力消費を最適化します。そのため、自律走行車や IoT デバイスなどのアプリケーションでのエッジ AI の導入に適しています。</p><p>スペースの最適化: AI および HPC システムでは、多くの場合、大量の計算リソースが必要であり、特にデータ センターや研究環境では、スペース効率の高いソリューションが不可欠です。3D TSV テクノロジにより、処理ユニット、メモリ、アクセラレータをより小さなフットプリント内に高密度に詰め込むことができるため、スペースが限られた環境にとって魅力的なオプションとなります。カスタマイズされたハードウェア: AI および HPC では、最適なパフォーマンスを実現するために特殊なハードウェア構成が必要になることがよくあります。3D TSV デバイスを使用すると、チップ構成をカスタマイズできるため、AI および HPC ワークロードのニーズに合わせてカスタマイズされた特定のハードウェア コンポーネントを統合できます。並列処理能力: 3D TSV デバイスの並列処理機能は、行列乗算やニューラル ネットワーク操作を伴う AI タスクに最適です。この並列処理により、AI モデルのトレーニングと実行の速度と効率が向上します。</p><p>新たな AI アプリケーション: AI が進化するにつれて、自然言語処理、コンピューター ビジョン、AI 駆動型ロボットなどの新しいアプリケーションが登場しています。これらのアプリケーションでは、3D TSV デバイスが提供できる計算能力とメモリ容量が求められます。結論として、AI および HPC アプリケーションにおける 3D TSV デバイスの役割の拡大は、高性能でエネルギー効率の高いコンピューティング ソリューションの需要の高まりと一致しています。3D TSV テクノロジは、高度なチップ統合、メモリ拡張、エネルギー効率を実現することでこれらのドメインの重要なニーズに対応し、AI および HPC テクノロジの継続的な進歩の重要な推進力として位置付けられています。AI および HPC アプリケーションがさまざまな業界で急増するにつれて、世界の 3D TSV デバイス市場は繁栄し、これらの分野でのイノベーションとブレークスルーをサポートするようになります。</p><h2>IoT デバイスの拡大</h2><p>IoT (モノのインターネット) デバイスの拡大は、世界の 3D TSV (シリコン貫通ビア) デバイス市場の成長を推進する重要な原動力となるでしょう。 IoT は、さまざまなデバイスやシステムを接続および自動化する変革の原動力であり、3D TSV テクノロジは、この急成長するエコシステムの需要をサポートする上でますます重要になっています。IoT センサーの小型化: IoT デバイスが効果的に機能するには、多くの場合、多数のセンサー、通信モジュール、および処理ユニットが必要です。これらのコンポーネントは、スマート ホーム デバイスから産業用センサーまで、さまざまな IoT アプリケーションにシームレスに適合するように、コンパクトでエネルギー効率に優れている必要があります。3D TSV テクノロジにより、これらのコンポーネントの垂直統合が可能になり、IoT デバイスの物理的なフットプリントが削減されると同時に、機能性が向上します。</p><p>エネルギー効率: IoT デバイスは、多くの場合、バッテリー駆動であるか、電源へのアクセスが限られています。エネルギー効率は、これらのデバイスの寿命を延ばし、メンテナンス要件を減らす上で最も重要です。3D TSV デバイスは、コンポーネント間の相互接続の長さを短縮することで電力消費を最小限に抑えることができるため、電力効率が重要な考慮事項となる IoT アプリケーションに最適です。高い統合レベル: IoT アプリケーションでは、限られたスペース内に複数の機能を収容するために、高いレベルの統合が求められます。 3D TSV テクノロジーにより、センサー、マイクロコントローラー、無線通信モジュールなど、さまざまな機能を備えたチップを 1 つのパッケージに積み重ねることができます。この統合により、IoT デバイスの設計が合理化され、パフォーマンスが向上します。</p><p>高度な通信: IoT は、デバイスとネットワーク間の効率的なデータ転送と通信に依存しています。3D TSV デバイスは、RF (無線周波数) チップなどの高度な通信コンポーネントをデバイスのパッケージに直接組み込むことができるため、信頼性の高い高速ワイヤレス接続が可能になります。カスタマイズと汎用性: IoT アプリケーションの多様性により、特定のニーズを満たすためのカスタマイズが必要になります。3D TSV テクノロジーにより、さまざまなコンポーネントを柔軟に統合できるため、環境モニタリング、ヘルスケア、産業オートメーションなど、特定のアプリケーションに合わせて IoT デバイスを簡単にカスタマイズできます。</p><p>市場の成長: IoT 市場は、ヘルスケア、農業、スマート シティ、産業オートメーションなど、さまざまな業界で急速に拡大し続けています。この成長により、必要なパフォーマンス、小型化、エネルギー効率を実現できる 3D TSV デバイスの需要が高まっています。新たなユースケース: IoT 技術が進化するにつれ、IoT デバイス内でデータがローカルに処理されるエッジ コンピューティングなどの新たなユースケースが生まれています。3D TSV デバイスは、強力なプロセッサとメモリ コンポーネントをコンパクトなフォーム ファクタに収容できるため、これらの新たなアプリケーションに最適です。</p><p>結論として、IoT デバイスの拡大は、グローバル 3D TSV デバイス市場にとって魅力的な推進力です。IoT アプリケーションの特定の要件に対応することで、3D TSV テクノロジにより、メーカーはより小型でエネルギー効率が高く、高度に統合されたデバイスを作成できます。IoT がさまざまな分野に浸透し続けるにつれて、3D TSV デバイスの需要は高まり、接続されたデバイスとシステムの未来を形作る役割がさらに強固になると予想されます。</p><h2>セグメント別インサイト</h2><h2>製品インサイト</h2><p>予測期間中、LED パッケージング セグメントが市場を支配すると予想されます。製品での発光ダイオード (LED) の使用が増えるにつれて、より高出力、高密度、低コストのデバイスの開発が促進されています。 3 次元 (3D) パッケージングのシリコン貫通ビア (TSV) テクノロジを使用すると、2D パッケージングとは異なり、垂直相互接続の高密度化が可能になります。</p><p>TSV 集積回路は接続長が短縮されるため、モノリシックと多機能の統合が効率的に行われる場合に寄生容量、インダクタンス、抵抗が小さくて済み、高速で低電力の相互接続が実現します。底部に薄いシリコン膜を備えた埋め込み設計により、熱接触が最適化され、熱抵抗が最小限に抑えられます。シリコン貫通ビア (TSV) は、表面実装デバイスとの電気的接触を提供し、ミラー化された側壁によりパッケージの反射率が向上し、光効率が向上します。</p><p>SUSS AltaSpray テクノロジは、90° コーナー、KOH (水酸化カリウム) エッチング キャビティ、数ミクロンから 600 μm 以上のシリコン貫通ビア (TSV) のコーティング統合が可能です。 TSV などの厳しい地形でもコンフォーマル レジスト コーティングを製造できるため、LED のウェーハレベル パッケージングに最適な選択肢となり、市場の成長が促進されます。</p><h2>地域別インサイト</h2><p>予測期間中、アジア太平洋地域が市場を席巻すると予想されます。アジア太平洋地域は、中国、日本、韓国、インドネシア、シンガポール、オーストラリアなどの地域の国々が、3D TSV 市場の需要の主要な源である民生用電子機器、自動車、輸送部門で高いレベルの製造を記録しているため、最も急速に成長している市場です。</p><p>アジア太平洋地域は、世界で最も活発な製造拠点の 1 つでもあります。スマートフォンの人気の高まりと新しいメモリ技術の需要により、計算集約型の民生用電子機器の成長が促進され、この地域で幅広い機会が生まれています。スマートフォンの製造にはシリコン ウェーハが広く使用されているため、5G テクノロジの導入により 5G スマートフォンの売上が伸び、通信分野の市場が拡大する可能性があります。</p><h2>最近の開発状況</h2><ul><li><span>2019 年 10 月 - Samsung は業界初の DRAM 製品向け 12 層 3D パッケージを開発しました。このテクノロジでは、TSV を使用して、ハイエンド グラフィックス、FPGA、コンピューティング カードなどのアプリケーション向けの大容量で高帯域幅のメモリ デバイスを作成します。<o></o:p></span></li><li><span>2019 年 4 月 - TSMC は、革新的な System-on-integrated-chips (TSMC-SoIC) の高度な 3D チップ スタッキング テクノロジ向けに ANSYS (ANSS) ソリューションを認定しました。SoIC は、シリコン貫通ビア (TSV) とチップ オン ウェーハ ボンディング プロセスを使用してシステム レベルの統合でマルチダイ スタッキングを行う高度な相互接続テクノロジであり、顧客の電力効率とパフォーマンスを向上させます。非常に複雑で要求の厳しいクラウドおよびデータセンターアプリケーション向けです。<o></o:p></span></li></ul><h2>主要市場プレーヤー</h2><ul><li><span>Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)<a><o></o:p></a></span></li><li><span>Samsung Group<o></o:p></span></li><li><span>Toshiba Corporation<o></o:p></span></li><li><span>Pure Storage Inc.<o></o:p></span></li><li><span>ASE Group<o></o:p></span></li><li><span>Amkor Technology<o></o:p></span></li><li><span>United Microelectronics Corp.<o></o:p></span></li><li><span>STMicroelectronics NV<o></o:p></span></li><li><span>Broadcom Ltd<o></o:p></span></li><li><span>Intel企業<o></o:p></span></li></ul><table width='100%' border=1> <tbody><tr> <td> <p><b><span>製品別</span></b><b><span><o></o:p></span></b></p> </td> <td> <p><b><span>アプリケーション別</span></b><b><span><o></o:p></span></b></p> </td> <td> <p><b><span>地域別</span></b><span><o></o:p></span></p> </td> </tr> <tr> <td> <ul><li><span>メモリ</span><span><o></o:p></span></li><li><span>MEMS</span><span><o></o:p></span></li><li><span>CMOSイメージセンサー</span><span><o></o:p></span></li><li><span>イメージングおよびオプトエレクトロニクスエレクトロニクス</span><span><o></o:p></span></li><li><span>高度な LED パッケージング</span><span><o></o:p></span></li></ul> </td> <td> <ul><li><span>消費者向けエレクトロニクス部門</span><span><o></o:p></span></li><li><span>情報通信技術部門</span><span><o></o:p></span></li><li><span>自動車部門</span><span><o></o:p></span></li><li><span>軍事</span><span><o></o:p></span></li><li><span>航空宇宙</span><span><o></o:p></span></li><li><span>防衛部門</span><span><o></o:p></span></li></ul> </td> <td> <ul><li><span>北米 </span><span><o></o:p></span></li><li><span>ヨーロッパ</span><span><o></o:p></span></li><li><span>南米</span><span><o></o:p></span></li><li><span>中東およびアフリカ</span><span><o></o:p></span></li><li><span>アジア太平洋</span><span><o></o:p></span></li></ul> </td> </tr></tbody></table></div>

Table Of Contents*:

List of tables and figures*:

Back